HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd


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フランジのケイ素NPNのフォトトランジスターの赤外線トランシーバー940nmの赤外線と円柱5mmは光電子工学スイッチで導きました

    • 5mm Cylindrical With Flange silicon NPN Phototransistor infrared transceiver 940nm infrared led in Optoelectronic switch
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    商品の詳細:

    起源の場所: 中国
    ブランド名: Double Light
    証明: ROHS/ REACH
    モデル番号: DL-503PTE-1PT

    お支払配送条件:

    最小注文数量: 5,000pcs/Real
    パッケージの詳細: 単位ごとの次元:0.28の× 0.2の× 0.13メートル•単位ごとの重量:3.5キログラム•輸出カートンごとの単位:40000•輸出カートンはL/W/Hの寸法を測ります:0.45の× 0.28の×
    受渡し時間: 10-15working は幾日の後のあなたの支払を受け取りました
    支払条件: 前もって電信移動(先発 TT、T/T)
    供給の能力: 1日あたりの2,000,000pcs
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    詳細製品概要
    製品名: フランジのフォトトランジスターと円柱5mm パッケージ: すくい5mmの円形の標準T-1 3/4の直径
    破片材料: シリコン レンズのタイプ: 明確な水
    源色: フォトトランジスター ピーク感受性の波長: 940NM
    形状: フランジと円柱 受信の角度: 100 度
    力: 75mA コレクター エミッターの電圧: 30V
    コレクター流れ: 20mA 分光帯域幅の鳴りました: 700-1200nm

    フランジのケイ素NPNのフォトトランジスターの赤外線トランシーバー940nmの赤外線と円柱5mmは光電子工学スイッチで導きました

    DL503PTE 1PT.PDF
     

     

     

    特徴:

    1. 速い応答時間。
    2. 高い写真の感受性。
    3. 小さい接続点キャパシタンス。
    4. プロダクト自体はRoHSの迎合的な版の内に残ります。

     
    記述:

    1. 503PTは標準的なΦ5パッケージの高速および高く敏感なケイ素NPNのフォトトランジスターです。
    2. 黒いエポキシが原因で、装置は可視ライトおよび赤外放射に一致します。

     
    適用:

    1. 赤外線応用システム。
    2. 光電子工学の自動制御システム。
    3. 光電子工学スイッチ。
    4. カメラ。
    5. プリンター。
    6. カウンターおよび選別機。
    7. エンコーダー。
    8. フロッピーディスク・ドライブ。
    9. ビデオ・カメラ、テープおよびカード読取り装置。
    10. 位置センサー。

     
    パッケージ次元:
    フランジのケイ素NPNのフォトトランジスターの赤外線トランシーバー940nmの赤外線と円柱5mmは光電子工学スイッチで導きました

     

    部品番号。 破片材料 レンズ色 源色
    DL-503PTE-1PT ケイ素 明確な水 フォトトランジスター

     

    注:

    1. すべての次元はミリメートル(インチ)にあります。
    2. 許容は他に特に規定がなければ± 0.25 mm (.010の″)です
    3. フランジの下の突出されていた樹脂は1.00 mm (.039の″)最高です。
    4. 指定は変更に応じて予告なしにあります。

     
    Ta=25℃の絶対最高評価

    変数 記号 評価 単位
    電力損失 PD 75 MW
    コレクター エミッターの電圧 VCEO 30 V
    エミッター コレクター電圧 VECO 5 V
    コレクター流れ IC 20 mA
    実用温度 TOPR -40から+85
    保管温度 TSTG -40から+100
    鉛のはんだ付けする温度 TSOL 260℃
     

     
     
    Ta=25℃の電気光学特徴

     

    変数 記号 最少。 Typ。 最高。 単位 条件
    コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 BVCEO 30 --- --- V

    IC=100μA

    Ee=0mW/cmの²

    エミッター コレクターの絶縁破壊電圧 BVECO 5 --- --- V

    すなわち=100μA、

    Ee=0mW/cmの²

    コレクター エミッターの飽和電圧 Vセリウム(SAT) --- --- 0.40 V

    IC=0.70mA

    Ee=1mW/cm2

    コレクター暗電流 ICEO --- --- 100 nA

    Ee=0mW/cmの²、

    VCE=20V

    オン州のコレクター流れ IC() 0.70 2.00 --- mA

    Ee=1mW/cmの²、

    VCE=5V

    光学上昇時間(10%に90%) TR --- 15 --- μs

    VCE=5V

    IC=1mA

    RL=1000Ω

    光学落下時間(90%に10%) TF --- 15 ---
    受信の角度 2θ1/2 --- 100 --- Deg  
    ピーク感受性の波長 λP --- 940 --- nm  
    分光帯域幅の鳴りました λ0.5 700 --- 1200 nm  
     

     

     
    典型的な電気/光学特性曲線
    (通知がなければ25℃周囲温度)

     フランジのケイ素NPNのフォトトランジスターの赤外線トランシーバー940nmの赤外線と円柱5mmは光電子工学スイッチで導きました
     
     

     

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